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    耗时3年攻破技术大关,国产5G通信基站芯片通过认证!

    2018中国国际应用科技交易博览会


    20181210日,在2018中国国际应用科技交易博览会上,国产5G通信基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片,在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。


    由中国科学院精英等高端人才组成的本创微电子团队,历经3年技术攻关,拥有工艺结构、封装结构多项专利,已完成多款关键GaN功率放大器芯片设计,并已获中电集团客户认证成功。并已获得中电集团客户认证成功,计划2019年正式推出。


    未来最大数据率料达每秒10Gbit,不仅人们之间相互快速通信,汽车、设备乃至生产机器人都将加入到网络中,届时物联网(IOT)、工业4.0或无人驾驶汽车都可实现“实时无线电通信”,不仅可靠而且可望更加廉价。据悉,此举亦打破国外对高性能GaN器件实行对华禁运之垄断。


    相比第1代与第2代半导体材料,3代半导体材料是具有较大禁带宽度(禁带宽度>2.2eV)的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)。第三代半导体具有宽的禁带宽度,高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率电器。


    此外,第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点,从而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。


    GaN是第三代半导体的代表材料,采用GaN的微波射频器件目前主要用于军事领域及4G/5G通讯基站应用场景。


    国产5G通信基站GaN(氮化镓)功率放大器芯片


    出于军事安全的考量,国外就高性能的「氮化镓」器件实行对华禁运。因此,发展自主GaN射频功放产业,对于打破国外垄断具有重要的意义。


    中国发明成果转化研究院有关负责人表示,5G时代下,GaN将在无线通信和国防领域大展拳脚,以其功率/效率水平和高频性能,在高性能无线解决方案中发挥关键作用。

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